高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Preparation and characterization of GaN films by radio frequency magnetron sputtering and carbonized-reaction technique
作者: Zhang CG;  Chen WD;  Bian LF;  Song SF;  Hsu CC
发表日期: 2006
摘要: Radio frequency magnetron sputtering/post-carbonized-reaction technique was adopted to prepare good-quality GaN films on Al2O3(0 0 0 1) substrates. The sputtered Ga2O3 film doped with carbon was used as the precursor for GaN growth. X-ray diffraction (XRD) pattern reveals that the film consists of hexagonal wurtzite GaN. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) shows that no oxygen can be detected. Electrical and room-temperature photoluminescence measurements show that good-quality polycrystalline GaN films were successfully grown on Al2O3(0 0 0 1) substrates. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Temperature;  Substrate
刊名: APPLIED SURFACE SCIENCE
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
3394.pdf284KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Zhang CG; Chen WD; Bian LF; Song SF; Hsu CC .Preparation and characterization of GaN films by radio frequency magnetron sputtering and carbonized-reaction technique ,APPLIED SURFACE SCIENCE ,2006,252(6):2153-2158
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Zhang CG]的文章
 [Chen WD]的文章
 [Bian LF]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Zhang CG]的文章
 [Chen WD]的文章
 [Bian LF]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发