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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Quantum dissipation and broadening mechanisms due to electron-phonon interactions in self-formed InGaN quantum dots
作者: Xu SJ;  Li GQ;  Wang YJ;  Zhao Y;  Chen GH;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Yang H;  Yu DP;  Wang JN
发表日期: 2006
摘要: Quantum dissipation and broadening mechanisms in Si-doped InGaN quantum dots are studied via the photoluminescence technique. It is found that the dissipative thermal bath that embeds the quantum dots plays an important role in the photon emission processes. Observed spontaneous emission spectra are modeled with the multimode Brownian oscillator model achieving an excellent agreement between experiment and theory for a wide temperature range. The dimensionless Huang-Rhys factor characterizing the strength of electron-LO-phonon coupling and damping constant accounting for the LO-phonon-bath interaction strength are found to be similar to 0.2 and 200 cm(-1), respectively, for the InGaN QDs. (c) 2006 American Institute of Physics.
KOS主题词: Luminescence;  Temperature;  Example;  Modeling
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Xu SJ; Li GQ; Wang YJ; Zhao Y; Chen GH; Zhao DG; Zhu JJ; Yang H; Yu DP; Wang JN .Quantum dissipation and broadening mechanisms due to electron-phonon interactions in self-formed InGaN quantum dots ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2006,88(8):Art.No.083123
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