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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
作者: Jiang DS;  Qu YH;  Ni HQ;  Wu DH;  Xu YQ;  Niu ZC
发表日期: 2006
摘要: It is found that both methods using either continuous Sb supply or pre-deposition of a very thin Sb layer are efficient for the Sb-assisted molecular beam epitaxy growth of highly strained InGaAs/GaAs quantum wells (QWs). The emission of QWs is extended to long wavelength close to 1.25 mu m with high luminescence efficiency at room temperature. The influence of rapid thermal annealing (RTA) on the photoluminescence intensity critically depends on the annealing temperature and duration for highly strained QWs. A relatively low RTA temperature of 700 degrees C with a short duration of 10 s is suggested for optimizing the annealing effect. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: atomic layer deposition;  Quantum wells;  Chrysanthemum morifolium;  Lasers;  Temperature;  Surfactant;  Nm
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Jiang DS; Qu YH; Ni HQ; Wu DH; Xu YQ; Niu ZC .Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2006,288(1):40529
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