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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Comparison of valence band x-ray photoelectron spectrum between Al-N-codoped and N-doped ZnO films
作者: Cong GW;  Peng WQ;  Wei HY;  Han XX;  Wu JJ;  Liu XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Lu JG;  Ye ZZ;  Zhu LP;  Qian HJ;  Su R;  Hong CH;  Zhong J;  Ibrahim K;  Hu TD
发表日期: 2006
摘要: The valence band structures of Al-N-codoped [ZnO:(Al, N)] and N-doped (ZnO:N) ZnO films were studied by normal and soft x-ray photoelectron spectroscopy. The valence-band maximum of ZnO:(Al, N) shifts up to Fermi energy level by about 300 meV compared with that of ZnO:N. Such a shift can be attributed to the existence of a kind of Al-N in ZnO:(Al, N), as supported by core level XPS spectra and comparison of modified Auger parameters. Al-N increased the relative quantity of Zn-N in ZnO:(Al, N), while N-N decreased that of Zn-N in ZnO:N. (c) 2006 American Institute of Physics.
KOS主题词: Thin films;  Ohmic contacts
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Cong GW; Peng WQ; Wei HY; Han XX; Wu JJ; Liu XL; Zhu QS; Wang ZG; Lu JG; Ye ZZ; Zhu LP; Qian HJ; Su R; Hong CH; Zhong J; Ibrahim K; Hu TD .Comparison of valence band x-ray photoelectron spectrum between Al-N-codoped and N-doped ZnO films ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2006,88(6):Art.No.602110
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