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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Fabrication of Ge nano-dot heterojunction phototransistors for improved light detection at 1.55 mu m
作者: Shi WH;  Mao RW;  Zhao L;  Luo LP;  Wang QM
发表日期: 2006
摘要: Heterojunction phototransistors (HPTs) with several Ge/Si nano-dot layers as the absorption region are fabricated to obtain improved light detectivity at 1.55 mu m. The HPT detectors are of n-p-n type with ten layers of Ge(8ML)/Si(45nm) incorporated in the base-collector junction and are grown by an ultrahigh-vacuum chemical-vapor deposition system. The detectors are operated with normal incidence. Because of the good quality of the grown material and fabrication process, the dark current is only 0.71pA/mu m(2) under 5 V bias and the break-down voltage is over 20 V. Compared to the positive-intrinsic-negative (PIN) reference detector with the same absorption layer, the responsivity is improved over 17 times for normal incidence at 1.55 mu m.
KOS主题词: Silicon;  Heterostructures
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Shi WH; Mao RW; Zhao L; Luo LP; Wang QM .Fabrication of Ge nano-dot heterojunction phototransistors for improved light detection at 1.55 mu m ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2006,23(3):735-737
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