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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Resonant tunnelling diodes and high electron mobility transistors integrated on GaAs substrates
作者: Huang YL;  Ma L;  Yang FH;  Wang LC;  Zeng YP
发表日期: 2006
摘要: A1GaAs/1nGaAs high electron mobility transistors (HEMTs) and AlAs/GaAs resonant tunnelling diodes (RTDs) are integrated on GaAs substrates. Molecular beam epitaxy is used to grow the RTD on the HEMT structure. The current-voltage characteristics of the RTD and HEMT are obtained on a two-inch wafer. At room temperature, the peak-valley, current ratio and the peak voltage are about 4.8 and 0.44 V, respectivcly The HEMT is characterized by a, gate length of 1 mu m, a, maximum transconductance of 125 mS/mm, and a threshold voltage of -1.0 V. The current-voltage, characteristics of the series-connected RTDs are presented. Tire current-voltage curves of the parallel connection of one RTD and one HEMT are also presented.
KOS主题词: Output
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Huang YL; Ma L; Yang FH; Wang LC; Zeng YP .Resonant tunnelling diodes and high electron mobility transistors integrated on GaAs substrates ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2006,23(3):697-700
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