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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Fabrication process and power and lifetime characteristics of very-small-aperture laser
作者: Song GF;  Gan QQ;  Qu X;  Fang PY;  Gao JX;  Cao Q;  Xu J;  Kang XN;  Xu Y;  Zhong Y;  Yang GH;  Chen LH
发表日期: 2006
摘要: High output power very-small-aperture laser has been created on 650 nm edge emitting laser diodes. The far-field output power is 0.4 mW at the 25 mA driving current, and the highest output power exceeds 1 mW. The special fabrication process is described and the failure mechanism leading to the short lifetime of the devices is discussed.
KOS主题词: semiconductor laser;  Forensic engineering;  near-field;  Light--Transmission;  Information retrieval
刊名: ACTA PHYSICA SINICA
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Song GF; Gan QQ; Qu X; Fang PY; Gao JX; Cao Q; Xu J; Kang XN; Xu Y; Zhong Y; Yang GH; Chen LH .Fabrication process and power and lifetime characteristics of very-small-aperture laser ,ACTA PHYSICA SINICA,2006,54(12):5609-5613
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