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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Influence of the cavity on the low-temperature photoluminescence of SiGe/Si multiquantum wells grown on a silicon-on-insulator substrate
作者: Li CB;  Cheng BW;  Zuo YH;  Morrison AP;  Yu JZ;  Wang QM
发表日期: 2006
摘要: The influences of the cavity on the low-temperature photoluminescence of Si0.59Ge0.41/Si multiquantum wells grown on silicon-on-insulator substrates are discussed. The positions of the modulated photoluminescence (PL) peaks not only relate to the nature of SiGe/Si multiquantum wells, but also relate to the characteristic of the cavity. With increasing temperature, a redshift of the modulated PL peak originating from the thermo-optical effect of the cavity is observed.
KOS主题词: Germanium alloys;  room temperature;  Quantum wells;  Heterostructures;  Islands
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Li CB; Cheng BW; Zuo YH; Morrison AP; Yu JZ; Wang QM .Influence of the cavity on the low-temperature photoluminescence of SiGe/Si multiquantum wells grown on a silicon-on-insulator substrate ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2006,88(12):Art.No.121901
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