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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Anomalous temperature dependence of photoluminescence peak energy in InAs/InAlAs/InP quantum dots
作者: Lei W;  Chen YH;  Xu B;  Jin P;  Wang YL;  Zhao C;  Wang ZG
发表日期: 2006
摘要: We have observed an unusual temperature sensitivity of the photoluminescence (PL) peak energy for InAs quantum dots grown on InAs quantum wires (QDOWs) on InP substrate. The net temperature shift of PL wavelength of the QDOWs ranges from 0.8 to -4. angstrom/degrees C depending upon the Si doping concentration in the samples. This unusual temperature behavior can be mainly ascribed to the stress amplification in the QDOWs when the thermal strain is transferred from the surrounding InAs wires. This offers an opportunity for realizing quantum dot laser devices with a temperature insensitive lasing wavelength. (c) 2006 Elsevier Ltd. All rights reserved.
KOS主题词: Nanostructured materials;  Semiconductors;  Optical properties;  Luminescence;  WAVELENGTH;  Nanostructured materials;  Lasers
刊名: SOLID STATE COMMUNICATIONS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Lei W; Chen YH; Xu B; Jin P; Wang YL; Zhao C; Wang ZG .Anomalous temperature dependence of photoluminescence peak energy in InAs/InAlAs/InP quantum dots ,SOLID STATE COMMUNICATIONS,2006,137(11):606-610
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