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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Optical anisotropy and strain evolution of GaAs surfaces at the onset of the formation of InAs quantum dots
作者: Chen YH;  Jin P;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Yang Z
发表日期: 2006
摘要: By using reflectance difference spectroscopy we have studied the in-plane optical anisotropy of GaAs surfaces covered by ultrathin InAs layers. The strain evolution of the GaAs surface with the InAs deposition thickness can be obtained. It is found that the optical anisotropy and the surface tensile strain attain maximum values at the onset of the formation of InAs quantum dots (QDs) and then decrease rapidly as more InAs QDs are formed with the increase of InAs deposition. The origin of the optical anisotropy has been discussed.
KOS主题词: Layer
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Chen YH; Jin P; Ye XL; Xu B; Wang ZG; Yang Z .Optical anisotropy and strain evolution of GaAs surfaces at the onset of the formation of InAs quantum dots ,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2006,99(7):Art.No.073507
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