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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Growth of high quality semi-insulating InP single crystal by suppression of compensation defects
作者: Zhao YW;  Dong ZY;  Duan ML;  Sun WR;  Yang ZX
发表日期: 2006
摘要: Deep level defects in as-grown and annealed SI-InP samples were investigated by thermally stimulated current spectroscopy. Correlations between electrical property, compensation ratio, thermal stability and deep defect concentration in SI-InP were revealed. An optimized crystal growth condition for high quality SI-InP was demonstrated based on the experimental results.
KOS主题词: Indium phosphide;  defect;  Iron
刊名: JOURNAL OF RARE EARTHS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhao YW; Dong ZY; Duan ML; Sun WR; Yang ZX .Growth of high quality semi-insulating InP single crystal by suppression of compensation defects ,JOURNAL OF RARE EARTHS,2006,24(Sp.Iss.SI ):75-77
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