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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Study on surface morphology of GaN growth by MOCVD on GaN/Si(111) template
作者: Liu Z;  Wang JX;  Wang XL;  Hu GX;  Guo LC;  Liu HX;  Li JP;  Li JM;  Zeng YP
发表日期: 2006
摘要: The surface morphology of GaN grown by MOCVD on GaN/Si template was studied. Rough morphology and deep pinhole defects on some surface areas of the samples were observed and studied. The formation of rough morphology is possibly related to Ga-Si alloy produced due to poor thermal stability of template at high temperature. The deep pinhole defects generated are deep down to the surface of MBE-grown GaN/Si template. The stress originated from the large thermal expansion coefficient difference between GaN and Si may be related to the formation of the pinhole defects. The surface morphology of the GaN can be improved by optimizing the GaN/Si template and decreasing the growth temperature.
KOS主题词: Surface contamination;  atomic layer deposition;  Alloys;  atomic layer deposition
刊名: JOURNAL OF RARE EARTHS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Liu Z; Wang JX; Wang XL; Hu GX; Guo LC; Liu HX; Li JP; Li JM; Zeng YP .Study on surface morphology of GaN growth by MOCVD on GaN/Si(111) template ,JOURNAL OF RARE EARTHS,2006,24(Sp.Iss.SI ):40495
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