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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Lifetime study of N impurity states in GaAs1-xNx (x=0.1%) under hydrostatic pressure
作者: Wang WJ;  Yang XD;  Ma BS;  Sun Z;  Su FH;  Ding K;  Xu ZY;  Li GH;  Zhang Y;  Mascarenhas A;  Xin HP;  Tu CW
发表日期: 2006
摘要: The lifetimes of a series of N-related photoluminescence lines (A(2)-A(6)) in GaAs1-xNx (x=0.1%) were studied under hydrostatic pressures at similar to 30 K. The lifetimes of A(5) and A(6) were found to increase rapidly with increasing pressure: from 2.1 ns at 0 GPa to more than 20 ns at 0.92 GPa for A(5) and from 3.2 ns at 0.63 GPa to 10.8 ns at 0.92 GPa for A(6). The lifetime is found to be closely correlated with the binding energy of the N impurity states, which is shown either in the pressure dependence for a given emission line or in the lifetime variation from A(2) to A(6). (c) 2006 American Institute of Physics.
KOS主题词: Gallium arsenide;  excitons;  alloy
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang WJ; Yang XD; Ma BS; Sun Z; Su FH; Ding K; Xu ZY; Li GH; Zhang Y; Mascarenhas A; Xin HP; Tu CW .Lifetime study of N impurity states in GaAs1-xNx (x=0.1%) under hydrostatic pressure ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2006,88(20):Art.No.201917
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