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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Growth of thicker zinc-blende CrSb layers by using (In,Ga)As buffer layers
作者: Deng JJ;  Zhao JH;  Bi JF;  Niu ZC;  Yang FH;  Wu XG;  Zheng HZ
发表日期: 2006
摘要: Zinc-blende CrSb (zb-CrSb) layers with room-temperature ferromagnetism have been grown on (In,Ga)As buffer layers epitaxially prepared on (001) GaAs substrates by molecular-beam epitaxy. Compared with the typical thickness [2-3 ML (ML denotes monolayers)] of zb-CrSb grown directly on GaAs, the thickness of zb-CrSb grown on (In,Ga)As has been increased largely; the maximum can be up to similar to 9 ML. High-resolution cross sectional transmission electron microscopy images show that the zb-CrSb layer is combined with (In,Ga)As buffer layer without any dislocations at the interface. (C) 2006 American Institute of Physics.
KOS主题词: atomic layer deposition;  Spintronics;  Photography--Films;  Finite volume method
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Deng JJ; Zhao JH; Bi JF; Niu ZC; Yang FH; Wu XG; Zheng HZ .Growth of thicker zinc-blende CrSb layers by using (In,Ga)As buffer layers ,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2006,99(9):Art.No.093902
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