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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Interfaces in heterostructures of AlInGaN/GaN/Al2O3
作者: Zhou SQ;  Wu MF;  Yao SD;  Liu JP;  Yang H
发表日期: 2006
摘要: Rutherford backscattering/channeling (RBS/C) and X-ray diffraction (XRD) are used to comprehensively characterize a heterostructure of AlInGaN/GaN/Al2O3(0001). The AlInGaN quaternary layer was revealed to process a high crystalline quality with a minimum yield of 1.4% from RBS/C measurements. The channeling spectrum of (1 (2) under bar 13) exhibits higher dechanneling than that of (0001) at the interface of AlInGaN/GaN. XRD measurements prove a coherent growth of AlInGaN on the GaN template layer. Combining RBS/C and XRD measurements, we found that the interface of GaN/Al2O3 is a nucleation layer, composed of a large amount of disorders and cubic GaN slabs, while the interface of AlInGaN/GaN is free of extra disordering (i.e. compare with the GaN layer). The conclusion is further evidenced by transmission electron microscopy (TEM). (c) 2005 Elsevier Ltd. All rights reserved.
KOS主题词: interface;  Transmission electron microscopy;  X-ray crystallography;  metallic superlattices;  strain
刊名: SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhou SQ; Wu MF; Yao SD; Liu JP; Yang H .Interfaces in heterostructures of AlInGaN/GaN/Al2O3 ,SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES,2006,39(5):429-435
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