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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Photoluminescence from the nitrogen-perturbed above-bandgap states in dilute GaAs1-xNx alloys: A microphotoluminescence study
作者: Tan PH (Tan P. H.);  Luo XD (Luo X. D.);  Xu ZY (Xu Z. Y.);  Zhang Y (Zhang Y.);  Mascarenhas A (Mascarenhas A.);  Xin HP (Xin H. P.);  Tu CW (Tu C. W.);  Ge WK (Ge W. K.)
发表日期: 2006
摘要: Using microphotoluminescence (mu-PL), in dilute N GaAs1-xNx alloys, we observe a PL band far above the bandgap E-0 with its peak energy following the so-called E+ transition, but with contribution from perturbed GaAs host states in a broad spectral range (> 100 meV). This finding is in sharp contrast to the general understanding that E+ is associated with a well-defined conduction band level (either L-1c or N-x). Beyond this insight regarding the strong perturbation of the GaAs band structure caused by N incorporation, we demonstrate that a small amount of isoelectronic doping in conjunction with mu-PL allows direct observation of above-bandgap transitions that are not usually accessible by PL.
KOS主题词: Gallium arsenide;  Gallium arsenide;  Semiconductors;  Luminescence;  Potential scattering
刊名: PHYSICAL REVIEW B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Tan PH (Tan P. H.); Luo XD (Luo X. D.); Xu ZY (Xu Z. Y.); Zhang Y (Zhang Y.); Mascarenhas A (Mascarenhas A.); Xin HP (Xin H. P.); Tu CW (Tu C. W.); Ge WK (Ge W. K.) .Photoluminescence from the nitrogen-perturbed above-bandgap states in dilute GaAs1-xNx alloys: A microphotoluminescence study ,PHYSICAL REVIEW B,2006,73(20):Art.No.205205
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