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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Porous InP array-directed assembly of InAs nanostructure
作者: Che XL;  Li L;  Liu FQ;  Huang XQ;  Wang ZG
发表日期: 2006
摘要: Fascinating features of porous InP array-directed assembly of InAs nanostructures are presented. Strained InAs nanostructures are grown by molecular-beam epitaxy on electrochemical etched porous InP substrate. Identical porous substrate with different pore depths defines different growth modes. Shallow pores direct the formation of closely spaced InAs dots at the bottom. Deep pores lead to progressive covering of the internal surface of pores by epitaxial material followed by pore mouth shrinking. For any depth an obvious dot depletion feature occurs on top of the pore framework. This growth method presages a pathway to engineer quantum-dot molecules and other nanoelements for fancy physical phenomena. (c) 2006 American Institute of Physics.
KOS主题词: Quantum dots;  Radiative capture;  Surface;  States;  Cantons;  Germanium
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Che XL; Li L; Liu FQ; Huang XQ; Wang ZG .Porous InP array-directed assembly of InAs nanostructure ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2006,88(26):Art.No.263107
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