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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature
作者: Zhao YW (Zhao Y. W.);  Dong ZY (Dong Z. Y.);  Deng AH (Deng A. H.)
发表日期: 2006
摘要: Electron irradiation-induced deep level defects have been studied in InP which has undergone high-temperature annealing in phosphorus and iron phosphide ambients, respectively. In contrast to a high concentration of irradiation-induced defects in as-grown and phosphorus ambient annealed InP, InP pre-annealed in iron phosphide ambient has a very low concentration of defects. The phenomenon has been explained in terms of a faster recombination of radiation-induced defects in the annealed InP. The radiation-induced defects in the annealed InP have been compared and studied. (c) 2006 Elsevier Ltd. All rights reserved.
KOS主题词: Indium phosphide;  defect;  Irradiation;  Heat treatment;  Radiation;  Thermally stimulated current;  Frenkel pairs;  Iron;  Electron paramagnetic resonance spectroscopy;  alpha-particle spectra;  Optical spectrometers;  Spectrum analysis;  Phosphides;  Ambient;  Traps;  Fish traps
刊名: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhao YW (Zhao Y. W.); Dong ZY (Dong Z. Y.); Deng AH (Deng A. H.) .Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature ,MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING,2006 ,9(1-3):380-383
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