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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Anti-Stokes photoluminescence in ZnO microcrystal
作者: Cao WT (Cao Weitao);  Du WM (Du Weimin);  Su FH (Su Fuhai);  Li GH (Li Guohua)
发表日期: 2006
摘要: Low temperature (10 K) strong anti-Stokes photoluminescence (ASPL) of ZnO microcrystal excited by low power cw 532 nm laser is reported here. Energy upconversion of 1.1 eV is obtained in our experiment with no conventional nonlinear effect. Through the study of the normal photoluminescence and temperature dependence of ASPL we conclude that the green band luminescence in ZnO is related to deep donor to valance band transition. Using the two-step two-photon absorption model, we provide a plausible mechanism leading to the ASPL phenomenon in our experiment. (c) 2006 American Institute of Physics.
KOS主题词: temperature dependence;  upconversion;  Zinc oxide;  Luminescence;  Bombardment;  Water-power;  Force and energy
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Cao WT (Cao Weitao); Du WM (Du Weimin); Su FH (Su Fuhai); Li GH (Li Guohua) .Anti-Stokes photoluminescence in ZnO microcrystal ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2006 ,89(3):Art.No.031902
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