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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effects of edge dislocations and intentional Si doping on the electron mobility of n-type GaN films
作者: Zhao DG (Zhao D. G.);  Yang H (Yang Hui);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Liu ZS (Liu Z. S.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Wang YT (Wang Y. T.);  Liang JW (Liang J. W.)
发表日期: 2006
摘要: The effects of dislocations and Si doping on the electrical properties of n-type GaN grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) are investigated. It is found that both electron mobility and carrier concentration are strongly influenced by edge dislocations. A moderate Si doping during the GaN growth improves the electron mobility, but the best doping effect depends on the dislocation density of the sample. High quality about 4-mu m-thick MOCVD-grown GaN film with a room temperature electron mobility as high as 1005 cm(2)/V s is obtained by optimizing growth conditions. (c) 2006 American Institute of Physics.
KOS主题词: X-ray crystallography;  Potential scattering;  Development;  Layers
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhao DG (Zhao D. G.); Yang H (Yang Hui); Zhu JJ (Zhu J. J.); Jiang DS (Jiang D. S.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Wang YT (Wang Y. T.); Liang JW (Liang J. W.) .Effects of edge dislocations and intentional Si doping on the electron mobility of n-type GaN films ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2006 ,89(11):Art.No.112106
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