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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Interplay between s-d exchange interaction and Rashba effect: Spin-polarized transport
作者: Yang W (Yang W.);  Chang K (Chang Kai);  Wu XG (Wu X. G.);  Zheng HZ (Zheng H. Z.);  Peeters FM (Peeters F. M.)
发表日期: 2006
摘要: The authors investigate the spin-polarized transport properties of a two-dimensional electron gas in a n-type diluted magnetic narrow gap semiconductor quantum well subjected to perpendicular magnetic and electric fields. Interesting beating patterns in the magnetoresistance are found which can be tuned significantly by varying the electric field. A resonant enhancement of spin-polarized current is found which is induced by the competition between the s-d exchange interaction and the Rashba effect [Y. A. Bychkov and E. I. Rashba, J. Phys. C 17, 6039 (1984)]. (c) 2006 American Institute of Physics.
KOS主题词: Injection;  Semiconductors;  Temperature
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Yang W (Yang W.); Chang K (Chang Kai); Wu XG (Wu X. G.); Zheng HZ (Zheng H. Z.); Peeters FM (Peeters F. M.) .Interplay between s-d exchange interaction and Rashba effect: Spin-polarized transport ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2006 ,89(13):Art.No.132112
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