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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Passively mode-locked Nd : YVO4 laser using semiconductor saturable absorption mirrors of interface states relaxation region
作者: Wang YG (Wang YongGang);  Ma XY (Ma XiaoYu);  Liu Y (Liu Yang);  Sun LQ (Sun LiQun);  Tian Q (Tian Qian)
发表日期: 2006
摘要: Semiconductor saturable absorber mirrors (SESAMs) with GaAs/air interface relaxation region have less nonsaturable loss than those with low temperature grown In0.25Ga0.75As relaxation region. A thin layer Of SiO2 and a high reflectivity film Of Si/(SiO2/Si)(4) were coated on the SESAMs, respectively in order to improve the SESAM's threshold for damage. The passively continuous wave mode-locked lasers with two such SESAMs were demonstrated, and the SESAM with high reflectivity film of Si/(SiO2/Si)(4) is proved to be helpful for high output power. (c) 2006 Elsevier GmbH. All rights reserved.
KOS主题词: interface;  Gallium arsenide
刊名: OPTIK
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang YG (Wang YongGang); Ma XY (Ma XiaoYu); Liu Y (Liu Yang); Sun LQ (Sun LiQun); Tian Q (Tian Qian) .Passively mode-locked Nd : YVO4 laser using semiconductor saturable absorption mirrors of interface states relaxation region ,OPTIK,2006 ,117(10):474-476
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