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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Semiconductor-metal transition in InSb nanowires and nanofilms under external electric field
作者: Zhang XW (Zhang X. W.);  Li SS (Li S. S.);  Xia JB (Xia J. B.)
发表日期: 2006
摘要: The electronic structures, Rashba spin-orbit couplings, and transport properties of InSb nanowires and nanofilms are investigated theoretically. When both the radius of the wire (or the thickness of the film) and the electric field are large, the electron bands and hole bands overlap, and the Fermi level crosses with some bands, which means that the semiconductors transit into metals. Meanwhile, the Rashba coefficients behave in an abnormal way. The conductivities increase dramatically when the electric field is larger than a critical value. This semiconductor-metal transition is observable at the room temperature. (c) 2006 American Institute of Physics.
KOS主题词: transistor
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhang XW (Zhang X. W.); Li SS (Li S. S.); Xia JB (Xia J. B.) .Semiconductor-metal transition in InSb nanowires and nanofilms under external electric field ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2006 ,89(17):Art.No.172113
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