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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Unselective regrowth of 1.5-mu m InGaAsP multiple-quantum-well distributed-feedback buried heterostructure lasers
作者: Feng W (Feng W.);  Ding Y (Ding Y.);  Pan JQ (Pan J. Q.);  Zhao LJ (Zhao L. J.);  Zhu HL (Zhu H. L.);  Wang W (Wang W.)
发表日期: 2006
摘要: Unselective regrowth for fabricating 1.5-mu m InGaAsP multiple-quantum well (MQW) distributed-feedback (DFB) buried heterostructure (BH) lasers is developed. The experimental results exhibit superior characteristics, such as a low threshold of 8.5 mA, high slope efficiency of 0.55 mW/mA, circular-like far-field patterns, the narrow line-width of 2.5 MHz, etc. The high performance of the devices effectively proves the feasibility of the new method to fabricate buried heterostructure lasers. (c) 2006 Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers.
KOS主题词: Regrowth;  Lasers;  High temperature;  Operation
刊名: OPTICAL ENGINEERING
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Feng W (Feng W.); Ding Y (Ding Y.); Pan JQ (Pan J. Q.); Zhao LJ (Zhao L. J.); Zhu HL (Zhu H. L.); Wang W (Wang W.) .Unselective regrowth of 1.5-mu m InGaAsP multiple-quantum-well distributed-feedback buried heterostructure lasers ,OPTICAL ENGINEERING,2006,45(9):Art.No.090501
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