高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Interface of wet oxidized AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflectors
作者: Li RY (Li R. Y.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Xu B (Xu B.);  Jin P (Jin P.);  Guo X (Guo X.);  Chen M (Chen M.)
发表日期: 2007
摘要: The interface of wet oxidized Al0.97Ga0.03As/GaAs in a distributed Bragg reflector (DBR) structure has been studied by means of transmission electron microscopy and Raman spectroscopy. With the extension of oxidation time, the oxide/GaAs interfaces are not abrupt any more. There is an amorphous film near the oxide/GaAs interface, which is Ga2O3 related to the prolonged heating. In the samples oxidized for 10 and 20 min, there are some fissures along the oxidized AlGaAs/GaAs interfaces. In the samples oxidized or in situ annealed for long time, no such fissures are present due to the complete removal of the volatile products.
KOS主题词: Semiconductor lasers;  Oxidation;  Microstructure
刊名: APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
3112.pdf532KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Li RY (Li R. Y.); Wang ZG (Wang Z. G.); Xu B (Xu B.); Jin P (Jin P.); Guo X (Guo X.); Chen M (Chen M.) .Interface of wet oxidized AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflectors ,APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING,2007,86(1):19-22
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Li RY (Li R. Y.)]的文章
 [Wang ZG (Wang Z. G.)]的文章
 [Xu B (Xu B.)]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Li RY (Li R. Y.)]的文章
 [Wang ZG (Wang Z. G.)]的文章
 [Xu B (Xu B.)]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发