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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: The effects of LT AlN buffer thickness on the properties of high Al composition AlGaN epilayers
作者: Wang XL (Wang X. L.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Li XY (Li X. Y.);  Gong HM (Gong H. M.);  Yang H (Yang H.);  Liang JW (Liang J. W.)
发表日期: 2006
摘要: To fabricate nitride-based ultraviolet optoelectronic devices, a deposition process for high-Al-composition AlGaN (Al content > 50%) films with reduced dislocation densities must be developed. This paper describes the growth of high-Al-composition AlGaN film on (0001) sapphire via a LT AIN nucleation layer by low pressure metalorganic chemical vapor deposition (LPMOCVD). The influence of the low temperature AIN buffer layer thickness on the high-Al-content AlGaN epilayer is investigated by triple-axis X-ray diffraction (TAXRD), scanning electron microscopy (SEM), and optical transmittance. The results show that the buffer thickness is a key parameter that affects the quality of the AlGaN epilayer. An appropriate thickness results in the best structural properties and surface morphology. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Dislocation
刊名: MATERIALS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang XL (Wang X. L.); Zhao DG (Zhao D. G.); Li XY (Li X. Y.); Gong HM (Gong H. M.); Yang H (Yang H.); Liang JW (Liang J. W.) .The effects of LT AlN buffer thickness on the properties of high Al composition AlGaN epilayers ,MATERIALS LETTERS,2006,60(29-30):3693-3696
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