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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Molecular beam epitaxy InAs dot arrays on InGaAs/GaAs
作者: Jiao YH (Jiao Y. H.);  Wu J (Wu J.);  Xu B (Xu B.);  Jin P (Jin P.);  Hu LJ (Hu L. J.);  Liang LY (Liang L. Y.);  Ren YY (Ren Y. Y.);  Wang ZG (Wang Z. G.)
发表日期: 2006
摘要: Periodical alignment of the InAs dots along the < 100 > and < 110 > directions was observed on an elastically relaxed InGaAs buffer layer grown at 500 and 450 degrees C, respectively, on the vicinal GaAs(001) substrate. Due to alignment along these directions, the InAs dots were arranged into a quasi-two-dimensional hexagonal lattice. Such a periodical arrangement of InAs dots may be explained in terms of modulation in strain as well as composition along [110] as observed by using cross-sectional transmission electron microscopy.
KOS主题词: Chemical vapor deposition;  atomic layer deposition;  Vapor-plating;  Field-effect transistors;  Quantum dots;  self-organization;  Islands;  Nanostructured materials;  metallic superlattices;  Development;  Surface
刊名: NANOTECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Jiao YH (Jiao Y. H.); Wu J (Wu J.); Xu B (Xu B.); Jin P (Jin P.); Hu LJ (Hu L. J.); Liang LY (Liang L. Y.); Ren YY (Ren Y. Y.); Wang ZG (Wang Z. G.) .Molecular beam epitaxy InAs dot arrays on InGaAs/GaAs ,NANOTECHNOLOGY,2006 ,17(23):5846-5850
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