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SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室  > 期刊论文

题名: Effect of surface treatment of GaN based light emitting diode wafers on the leakage current of light emitting diode devices
作者: Wang LJ;  Zhang SM;  Zhu JH;  Zhu JJ;  Zhao DG;  Liu ZS;  Jiang DS;  Wang YT;  Yang H
发表日期: 2010
KOS主题词: Light emitting diodes;  Electrolytic oxidation;  Finishing;  Leakage current;  Layers;  Light emitting diodes
刊名: CHINESE PHYSICS B
专题: 集成光电子学国家重点实验室_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang LJ, Zhang SM, Zhu JH, Zhu JJ, Zhao DG, Liu ZS, Jiang DS, Wang YT, Yang H. Effect of surface treatment of GaN based light emitting diode wafers on the leakage current of light emitting diode devices.CHINESE PHYSICS B,2010,19(1):Art. No. 017307
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