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氮化镓生长方法 [专利]段瑞飞; 魏同波; 王国宏; 曾一平; 李晋闽-
采用金属氧化物掺杂作为空穴注入结构的有机发光二极管 [专利]李林森; 关敏; 曹国华; 曾一平; 李晋闽-
透明电极GaN基LED结构及其制作方法 [专利]杨华; 王晓峰; 阮军; 王国宏; 曾一平-
一种叠层有机电致发光器件 [专利]李林森; 关敏; 曹国华; 曾一平; 李晋闽-
一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 [专利]纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽-
全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 [专利]闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽-
平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 [专利]孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽-
三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极 [专利]孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽-
利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法 [专利]张连; 丁凯; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽-
利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法 [专利]丁凯; 张连; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽-
一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 [专利]王兵; 李志聪; 王国宏; 闫发旺; 姚然; 王军喜; 李晋闽-
氮化镓系发光二极管 [专利]马平; 李京波; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽-
采用InxGa1-xN缓冲层生长的氮化镓和铟镓氮的方法 [专利]马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽-
采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 [专利]孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽-
采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 [专利]孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽-
一种氮化镓系发光二极管 [专利]马平; 王军喜; 刘乃鑫; 路红喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽-
氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法 [专利]王国宏; 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕-
氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法 [专利]汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏-
氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 [专利]郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏-
氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 [专利]郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏-

 

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