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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Intense room temperature near infrared emission from Al (3+) and Yb3+ ions
作者: Zhang JG;  Cheng BW;  Gao, JH;  Yu JZ;  Wang QM
出版日期: 2004
会议日期: SEP 29-OCT 01, 2004
摘要: Intense near infrared emission was observed from Al3+ and Yb3+ ions co-implanted SiO2 film on silicon. It was found that the addition of Al3+ ions could remarkably improve the photoluminescence efficiency of Yb3+-implanted SiO2 film. No excitation power saturation was observed and trivial temperature quenching factor of 2 was achieved.
会议名称: 1st IEEE International Conference on Group IV Photonics
KOS主题词: Fluorescence
会议文集: 2004 IST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Zhang, JG; Cheng, BW; Gao, JH; Yu, JZ; Wang, QM .Intense room temperature near infrared emission from Al (3+) and Yb3+ ions .见:IEEE .2004 IST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS,345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA ,2004,64-66
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