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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: FEI GUO; DAN LU; LU GUO; SONGTAO LIU; WU ZHAO; HAO WANG; RUIKANG ZHANG; QIANG KAN; CHEN JI
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| 1.3-μm 高速电吸收调制激光器芯片的研究 学位论文 作者: 王会涛
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Guo, Fei; Zhang, Ruikang; Lu, Dan; Wang, We; Ji, Chen
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang Dingli; Zhou Ning; Zhang Jun; Liu Yu; Zhu Ninghua; Li Songlin
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Xu DW; Yoon SF; Ding Y; Tong CZ; Fan WJ; Zhao LJ; Xu, DW, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singaporen060085@ntu.edu.sg; esfyoon@ntu.edu.sg; YDing@ntu.edu.sg; CZTong@ntu.edu.sg; ewjfan@ntu.edu.sg; ljzhao@red.semi.ac.cn
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| 1.3 µm GaAs 基InAs 量子点材料生长及器件应用 学位论文 作者: 何军
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| 1.3 µm GaAs 基量子阱、量子点垂直腔面发射激光器 学位论文 作者: 佟存柱
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| 1.3 m GaInNAs 量子阱激光器器件物理基础研究 学位论文 作者: 张玮
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: La, Xiaobo; Zhu, Xuyuan; Guo, Jing; Zhao, Lingjuan; Wang, Wei; Liang, Song
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Xia-Yida MaXueer; Yi-Ming He; Zun-Ren Lv; Zhong-Kai Zhang; Hong-Yu Chai; Dan Lu; Xiao-Guang Yang; Tao Yang
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Yongzhou Xue; Zesheng Chen; Haiqiao Ni; Zhichuan Niu; Desheng Jiang; Xiuming Dou; Baoquan Sun
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| 1.3 μm波段InP基高速直接调制InGaAlAs量子阱激光器研究 学位论文 作者: 朱旭愿
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Feng W; Pan JQ; Wang L; Liao ZY; Cheng YB; Chen DB; Zhao LJ; Zhu HL; Wang W; Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wfeng@semi.ac.cn
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| 1.3 mu m GaInNAs/GaAs multiple-quantum-wells resonant-cavity-enhanced photodetectors 会议论文 作者: Zhang W; Pan Z; Li LH; Zhang RK; Lin YW; Wu RG; Zhang W Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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| 1.3 mu m GaInNAs/GaAs quantum well lasers and photodetectors 会议论文 作者: Zhong P; Lin YW; Li LH; Xu YQ; Wei Z; Wu RH; Lin YW Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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| 1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy 会议论文 作者: Niu, ZC; Zhang, SY; Ni, HQ; Wu, DH; He, ZH; Sun, Z; Han, Q; Wu, RG; Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Fang ZD; Gong Z; Miao ZH; Niu ZC; Shen GD; Fang, ZD, Beijing Polytech Univ, Optoelect Technol Lab, Beijing 100022, Peoples R China.
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| 1.3 mu m InGaAsP/InP strained layer multi-quantum-well complex-coupled distributed feedback laser 会议论文 作者: Chen B; Wang W; Wang XJ; Zhang JY; Zhu HL; Zhou F; Chen B Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Res Ctr Optoelect Technol POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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| 1.3 微米长波长InAs/GaAs 自组织量子点的分子束外延生长与激光器 学位论文 作者: 方志丹
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| 1.3 微米长波长InAs/GaAs自组织量子点材料及激光器研究 学位论文 作者: 史桂霞
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