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中国科学院半导体研究所机构知识库
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离子束混合和热退火反应生成稀土金属硅化物的研究
学位论文
作者:
牟善明
离子束混合形成金属硅化物和浅结
学位论文
作者:
吴春武
离子束溅射沉积制备六方氮化硼二维原子晶体
学位论文
作者:
王浩林
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
杨君玲
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陈诺夫
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刘志凯
;
杨少延
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;
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作者:
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作者:
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周必忠
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肖方方
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吴名枋
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王延峰
;
刘忠立
离子注入法生长GaMnAs材料性质研究
学位论文
作者:
王春华
离子注入法制备磁性半导体及其性质研究
学位论文
作者:
宋书林
无权访问的条目
期刊论文
作者:
陶东言 刘超 尹春海 曾一平
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期刊论文
作者:
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期刊论文
作者:
肖光明
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张敬平
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范缇文
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刘家瑞
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丁爱菊
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周钧铭
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朱沛然
离子注入砷化镓吸收镜
专利
专利类型: 专利,
作者:
马晓宇
;
王勇刚
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期刊论文
作者:
WANG TH
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MEI XB
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JIANG C
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HUANG Y
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ZHOU JM
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HUANG XG
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CAI CG
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YU ZX
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LUO CP
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XU JY
;
XU ZY
;
WANG TH CHINESE ACAD SCIINST PHYSGRP 605BEIJINGPEOPLES R CHINA
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bian LF
;
Zhang CG
;
Chen WD
;
Hsu CC
;
Shi TF
;
Bian, LF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: guobian@semi.ac.cn