高级检索   注册
SEMI OpenIR

浏览所有条目

按标题快速跳转
请选择题名首字母 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
输入前几个字母(或汉字)   
按发表日期快速跳转
日期跳转:
 
15878条检索结果中的6662-6681条条目
条数/页:   其他排序方式:
题名▲作者发表日期 全文
I_2分子团簇的制备及它的漫反射谱 [期刊论文]林兆军; 王占国; 陈伟; 林兰英1997
IC测试系统精密定时器的新结构 [期刊论文]王东辉; 施映; 林雨2002
ICP干法刻蚀工艺制备剖面为正梯形的台面的方法 [专利]徐晓娜; 胡传贤; 樊中朝; 王晓东; 杨富华-
ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响 [期刊论文]樊中朝; 余金中; 陈少武; 杨笛; 严清峰; 王良臣2004
ICP刻蚀技术及其在SOI波导器件制作中的应用 [学位论文]樊中朝2004
Identification of Helicity-Dependent Photocurrents from Topological Surface States in Bi2Se3 Gated by Ionic Liquid [期刊论文]Duan, JX; Tang, N; He, X; Shen, B; Yan, Y; Zhang, S; Qin, XD; Wang, XQ; Yang, XL; Xu, FJ; Chen, YH; Ge, WK2014
Identification of induced reaction during XPS depth profile measurements of CeO2/Si films grown by ion beam epitaxy [期刊论文]Wu Z; Huang D; Yang X; Wang J; Qin F; Zhang J; Yang Z1998
IDENTIFICATION OF THE ENERGY-LEVELS OF SI-RH [期刊论文]ZHOU J; WU JA; LU LW; HAN ZY1991
Identification of vacancies in electron irradiated GaSb by coincidence Doppler broadening spectroscopy [期刊论文]Shao, YD (Shao, Y. D.); Wang, Z (Wang, Z.); Dai, YQ (Dai, Y. Q.); Zhao, YW (Zhao, Y. W.); Tang, FY (Tang, F. Y.)2007
Identifying different mechanisms of circular photogalvanic effect in GaAs/Al0.3Ga0.7As two dimensional electron gas by photo-modulation technique [期刊论文]Hui Ma, Chongyun Jiang, Yu Liu, Laipan Zhu, Xudong Qin, Yonghai Chen2013
Identifying Multiple Configurations of Complex Molecules on Metal Surfaces [期刊论文]Liu, Q; Du, SX; Zhang, YY; Jiang, N; Shi, DX; Gao, HJ2012
IEEE-1394b 光总线的弹上应用及可靠性分析 [学位论文]木素真2010
III-V半导体低维结构材料分子束外延生长及其性质的研究 [学位论文]杨斌1995
III-V-N 半导体材料光学性质的研究 [学位论文]王文杰2007
III-V 族(001)面生长半导体量子阱偏振相关光学性质的研究 [学位论文]俞金玲2012
III-V族半导体的喇曼散射研究 [学位论文]张旺1999
III-V族半导体低维结构材料的平面光学各向异性 [学位论文]叶小玲2001
III-V族半导体低维结构与新型合金材料的光学性质 [学位论文]马宝珊2005
III-V 族半导体纳米结构的MOCVD 生长和光学性质研究 [学位论文]李天锋2012
III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征 [学位论文]季祥海2018-6

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发